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粉末方阻測(cè)試儀的四探針頭分析介紹
更新時(shí)間:2015-11-11 點(diǎn)擊次數(shù):1330
   粉末方阻測(cè)試儀主要由主機(jī)、測(cè)試架及四探針頭組成本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測(cè)量電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化,免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開(kāi)關(guān),在測(cè)量某些箔層材料時(shí),可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生,更好地保護(hù)箔膜。

  粉末方阻測(cè)試儀所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤(pán)輸入;具有零位、滿度自校功能;自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程;測(cè)試探頭采用寶石導(dǎo)向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成,故定位準(zhǔn)確、游移率小、壽命長(zhǎng);測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。

  粉末方阻測(cè)試儀可測(cè)量半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等。測(cè)量方式:平面測(cè)量。電壓表采用雙數(shù)字電壓表,可同時(shí)觀察電流、電壓變化。

  粉末方阻測(cè)試儀的恒流源:

  A.電流輸出:直流電流0.003~100 mA連續(xù)可調(diào),有交流電源供給

  B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五檔

  C.恒流源精度:各檔均≤±0.05%

  粉末方阻測(cè)試儀的測(cè)量系統(tǒng)

  KDY測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)語(yǔ)言:VC++,可對(duì)四探針、兩探針電阻率測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行處理并修正測(cè)量數(shù)據(jù),特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式,顯示變化曲線。

  兼容性:適用于通用電腦,支持Windows XP。

  粉末方阻測(cè)試儀的四探針頭介紹:

  A.探頭間距1.59㎜

  B.探針機(jī)械游率:±0.3%

  C.探針直徑0.8㎜

  D.探針材料:碳化鎢,探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。

  測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)、定向結(jié)晶多晶硅的電阻率,測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層以及導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻測(cè)量。

  探針間距1.00mm的探針頭適合測(cè)量直徑小于50mm的的直徑單晶片。探針間距1.59mm的探針頭相對(duì)精度高,在SEMI標(biāo)準(zhǔn)中為仲裁探針頭,適合測(cè)量直徑大于50mm的的大直徑單晶片,因?yàn)樘结樦睆捷^粗更加耐磨且不易斷針,所以尤其適合測(cè)量硅、鍺單晶棒、塊。

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